将金属卤化物钙钛矿与现有的现代半导体技术相结合，对于促进应用级光电器件的发展具有重要意义。为了实现这样的器件，探索沉积在半导体技术的核心材料上的钙钛矿的生长动力学和界面载流子动力学是必不可少的。北京大学张青团队报道了高度取向的单晶铯溴化铅（CsPbBr₃）在c-纤锌矿GaN /蓝宝石衬底上的不相称异质外延，具有原子光滑的表面和通过化学气相沉积的均匀矩形形状。 CsPbBr₃微片晶体在室温下呈现绿色激光，并且具有与在云母基底上生长的结构稳定性相当的结构稳定性。研究表明，II型CsPbBr₃-GaN异质结有效地增强了CsPbBr₃内自由载流子的分离和提取。这些发现为CsPbBr₃钙钛矿的制造和应用级集成光电器件提供了见解。

Vapor-Phase Incommensurate Heteroepitaxy of Oriented Single-Crystal CsPbBr₃ on GaN: Towards Integrated Optoelectronic Applications, ACS Nano, 2019

Doi.org/10.1021/acsnano.9b02885.

https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsnano.9b02885