电子技术正在接近一个重大的范式转变，因为硅晶体管结构不再能够产生历史的能效效益，从而推动了对超硅纳米技术的研究。特别地，基于碳纳米管场效应晶体管（CNFET）的数字电路具有显著的能量效率优势，但是不能完美地控制碳纳米管中的固有纳米级缺陷和可变性阻碍了其应用于大规模的集成系统。麻省理工学院Max M. Shulaker课题组克服了这些挑战，展示了完全由CNFET构建的超硅微处理器。该16位微处理器基于RISC-V指令集，在16位数据和地址上运行标准32位指令，包含14,000多个互补金属氧化物半导体CNFET，采用行业标准设计进行设计和制造流程和流程。提出了一种碳纳米管的制造方法，这是一套组合处理和设计技术，用于克服整个晶圆基板上宏观尺度的纳米级缺陷。这项工作通过实验验证了实现超硅电子系统的有希望的途径。

Modern microprocessor built from complementary carbon nanotube transistors

https://www.nature.com/articles/s41586-019-1493-8