南方科技大学Xugang Guo团队报道了一种基于无氰基的二氰基苯并噻二唑的新型窄带隙聚合物（DCNBT-IDT）。强大的吸电子氰基功能使DCNBT-IDT具有n型特征，同时减弱了与酰亚胺基团相关的空间位阻。与（N2200）相比，DCNBT-IDT的带隙更窄（1.43 eV），吸收系数更高（6.15×10⁴ cm^-1）。当与宽带隙聚合物供体混合时，基于DCNBT-IDT的全PSC可以实现8.32％的效率，0.53 eV的小能量损耗和高达870 nm的光响应。这种效率大大优于N2200（6.13％）。这项工作打破了限制n型聚合物材料创新的长期瓶颈，这为开发具有改善的光电性能的聚合物受体开辟了一条新途径。

A Narrow‐Bandgap n‐Type Polymer Semiconductor Enabling Efficient All‐Polymer Solar Cells，Advanced Materials, 2019

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201905161