三硫化锑（Sb2S3）被认为是有前途的光伏材料。但性能尚不令人满意。通常将效率低和大的开路电压损耗归因于界面缺陷和大量的本征缺陷。浙江大学Haiming Zhu和中科大Tao Chen团队通过对Sb2S3多晶膜和单晶进行光谱研究发现，具有0.6 eV斯托克斯位移的红移光致发光。这些特征以及Sb2S3单晶的极化陷阱发射，表明Sb2S3中的光激发载流子本质上是通过晶格变形而不是非固有缺陷自陷的。并合理化了Sb2S3薄膜太阳能电池中的大开路电压损耗和近100%的载流子收集效率。
Ultrafast self-trapping of photoexcited carriers sets the upper limit on antimony trisulfide photovoltaic devices, Nature Communications, (2019)
https://www.nature.com/articles/s41467-019-12445-6
