氧化应激是脑缺血再灌注（I/R）损伤的主要原因之一，而实现抗氧化剂在脑部的高效积累则有望有效防止大脑出现I/R损伤。威斯康星大学麦迪逊分校Dalong Ni博士和蔡伟波教授合作利用正电子发射断层成像（PET）技术，对纳米抗氧化剂多金属氧酸盐（POM）在大脑中的摄取进行了非侵入性地实时监测。研究结果表明，POM纳米簇在被鞘内注射后会迅速到达缺血半暗区并有效清除活性氧(ROS)，进而抑制氧化应激并使得脑I/R损伤模型的脑梗死面积显著缩小，神经功能恢复。这一研究表明，通过鞘内注射纳米抗氧化剂是改善脑I/R损伤的一种新型高效的治疗策略。

Shiyong Li, Dalong Ni, Weibo Cai. et al. Intrathecal Administration of Nanoclusters for Protecting Neurons against Oxidative Stress in Cerebral Ischemia/Reperfusion Injury. ACS Nano. 2019

DOI: 10.1021/acsnano.9b06780

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.9b06780