3D堆栈中的金属氧化物纳米线组装可以实现具有定制的导电性，多孔结构和高表面积的纳米器件。当前的制造方法需要复杂的多步骤过程，该过程涉及纳米线的初始制备，然后进行手动组装或转移印刷，因此缺乏合成的灵活性和可控性。复旦大学邓勇辉 团队报道了一种可控制地构建3D多层交叉金属氧化物纳米线阵列的通用合成正交组装方法。以氧化钨半导体纳米线为例，聚环氧乙烷-嵌段-聚苯乙烯和硅钨酸复合纳米棒可以自发正交堆积。随后的煅烧产生了Si掺杂的亚稳态ε相WO₃的3D交叉堆叠纳米线阵列。该纳米线堆栈框架也已作为气体检测仪进行了测试，用于选择性检测丙酮。通过使用其他多金属氧酸盐，这种类似木桩的3D纳米结构的制造方法也可以推广到不同的掺杂金属氧化物纳米线，从而为各种应用提供一种操纵其物理性能的方法。

Synthesis of orthogonally assembled 3D cross-stacked metal oxide semiconducting nanowires

Nature Materials (2019)

https://www.nature.com/articles/s41563-019-0542-x