对范德瓦尔斯铁磁体的磁性进行电操纵，对将其集成到未来的自旋电子设备中的应用至关重要。近日，普渡大学Vaibhav Ostwal等利用Cr₂Ge₂Te₆/钽（Ta）异质结构中的反常霍尔效应，研究了半导体2D铁磁体即Cr₂Ge₂Te₆的磁化。研究发现，flakes越薄，在平面外磁场作用下，磁化回路中的磁滞和剩磁越明显。为了控制此类flakes中的磁化强度，作者使用平面磁场和流过Ta（一种表现出巨大自旋霍尔效应的重金属）的电流的组合。在20 mT的面内磁场下，低至5×105 A cm^–2的电流密度足以改变Cr₂Ge₂Te₆的面外磁化强度。这一发现表明，Cr₂Ge₂Te₆自旋轨道转矩切换所需的电流密度比切换非分层金属铁磁体（如CoFeB）所需的电流密度低大约两个数量级。该工作表明二维铁磁体在低功耗存储器和逻辑应用中具有巨大的潜力。

Vaibhav Ostwal,* et al. Efficient Spin‐Orbit Torque Switching of the Semiconducting Van Der Waals Ferromagnet Cr₂Ge₂Te₆. Adv. Mater. 2020,

DOI: 10.1002/adma.201906021

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201906021