由于摩尔定律(Moore’s law)目前将达到物理学的限制，电子学系统在将来的发展可能需要将更先进的方法应用于CMOS数字电路（digital circuit）。法国斯特拉斯堡大学Paolo Samorì报道了将二维半导体和分子的组装体系，实现了对二维材料性质的改变，使得产生了刺激响应型器件，作者认为这种技术是实现超越摩尔定律的可行技术。

本文要点

（1）制备了一种通过离子液体（ionic liquid）门控作用、通过分子进行修饰的场效应晶体管器件，作者通过二茂铁取代的链状硫醇进行修饰MoS₂，实现了对场效应晶体管器件的性能提升，并实现了开关比高于10⁵，迁移率高达~116 cm² V^-1 s^-1。

（2）通过调控分子的电性（电中性、带电荷），实现了不同性质的掺杂作用，并实现了对MoS₂的电子浓度调控。这种修饰分子和离子液体的作用，能有效的体现在场效应晶体管上的信号变化，是实现新型功能性器件的简单有效方法。说明通过外界因素作用，能够实现对场效应晶体管器件信号的调控。

（3）这种外界调控方法改变器件工作性能是实现超越摩尔定律的器件可能的方法。

参考文献

Yuda Zhao, Simone Bertolazzi, Maria Serena Maglione, Concepció Rovira, Marta Mas‐Torrent, Paolo Samorì*

Molecular Approach to Electrochemically Switchable Monolayer MoS₂ Transistors

Adv. Mater., 2020, 

DOI: 10.1002/adma.202000740

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/epdf/10.1002/adma.202000740