在可持续的基于全彩QLED的显示设备的商业化中，具有环保元素的量子点与实现高性能设备同样重要。然而，迄今为止研究的大多数高效率QLED都包含基于Cd的QD，应仅限用于商业产品。因此，对无任何重金属QD的开发引起了研究的广泛关注。 III-V型InP量子点是无镉可见光发光层的强力候选者之一。基于InP的QLED的最高EQE分别为21.4和13.6％（分别对应红色和红色）。另一方面，相对于无镉的红色和绿色相对而言，无镉的蓝色量子点的发展仍处于未知领域。尝试实现无镉蓝色QD通过InP或ZnSe基化合物通过粒度控制，合金化进行间隙工程，但是效率最高仅7.83％。鉴于此，韩国弘益大学Hyun-Sik Kim，Heesun Yang 和全北大学Bum-Joo Lee等人报道了具有高质量光致发光（PL）特性的无镉蓝色量子点（QD）的合成以及高效QD发光二极管（QLED）。
本文要点：
1) 制备了具有84％的高PL量子产率和27 nm的窄带宽的真蓝色（445 nm）发射型多壳ZnSeTe QD。为了获得更好的电子传输层（ETL）材料，ZnMgO纳米颗粒（NPs）的表面会通过额外的Mg反应进行改性，从而导致在表面改性的ZnMgO（m-ZnMgO）NPs上可能形成Mg(OH)2层 。Mg(OH)2覆盖层的可以使得电子迁移率降低，进而提高QD发射层（EML）电荷平衡。进一步发现Mg(OH)2层减轻了QD EML的发光猝灭。
2）结合了蓝色ZnSeTe QD和m-ZnMgO NP ETL，制备了亮度高，效率高的蓝色QLED，其记录亮度为2904 cd/m2，外部量子效率为9.5％。
Chang-Yeol Han et al. Over 9% Efficient ZnSeTe Quantum Dot-Based Blue Electroluminescent Devices，ACS Energy Lett. 2020.
https://doi.org/10.1021/acsenergylett.0c00638
