随着光电设备的发展，手机摄像头等光电设备对于光敏传感的要求越来越高，人们不断寻找新的工作波段更广，成本更低的半导体材料。有鉴于此，马德里纳米科学高级研究所的Enrique Cánovas等研究人员，利用CHCl₃表面的自发反应可调可控的生成大面积的单层或者少层MOF材料。

本文要点

1）在百微米通道霍尔效应表征结果显示，二维MOF材料在红外区具有0.45eV的直接带隙，室温下的载流子迁移率为230cm²V^-1s^-1。

2）从温度、光功率密度以及明暗电流三个方面探索二维MOF器件的光敏性。其结果显示，随着温度降低，二维MOF材料显示出更强的光响应以及灵敏度，光电探测器品质因数也得到明显的改善。

3）二维MOF光电探测器在100K（输入光功率密度=0.14W·cm^-2，偏置电压=-1V）的条件下，NEP估值为2.8nWHz^-1/2(405nm), 1033nWHz^-1/2(633nm)和0.07nWHz^-1/2。

该工作提出了一种基于二维MOF材料、工作光谱范围达到千纳米级（400-1575nm）的新概念光电探测器。

参考文献：

Himani Arora, et al. Demonstration of a Broadband Photodetector Based on a Two-Dimensional Metal–Organic Framework. Advanced Materials, 2020.

DOI：10.1002/adma.201907063

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.201907063