石墨烯屈曲结构（2D-Xenes硅烯，锗烯和锡烯）及其衍生物预计将具有高的迁移率载流子，然而，实验尚未证实这一预测。莫斯科国家研究中心Vyacheslav G. Storchak等人在插层式多层锗烯中发现了高迁移率（超过104 cm² V^-1 s^-1）的载流子。

本文要点：

1）通过拓扑化学反应合成了反铁磁性和反磁性MGe₂的外延膜，随后对原子和磁性结构进行了广泛研究。MGe₂的电阻量子振荡表明准2D费米表面腔的载流子有效质量低至0.015 m_e，可与石墨烯相比。在磁阻和非零Berry相中检测到的手性异常特征表明MGe₂电子结构和电荷传输的拓扑性质。

2）这一发现弥合了理论与实验之间的鸿沟，从而将2D-Xenes确立为材料工程中有希望的组成部分。同时，Eu嵌入锗烯中的磁性和高迁移率的组合对于自旋电子学应用很有吸引力。

Oleg E. Parfenov, et al. High‐Mobility Carriers in Germanene Derivatives, Adv. Funct. Mater., 2020.

DOI: 10.1002/adfm.201910643

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.201910643