构建稳定的固体电解质界面(SEI)是提高硅基材料性能的有效方法。然而，一般的策略忽略了由氟离子渗透引起的严重副反应，这影响了SEI的稳定性。

有鉴于此，清华大学魏飞教授建立了一种结合X射线衍射（XRD）和质谱（MS）技术研究硅与电解液之间化学反应机理的分析方法。

文章要点

1）研究人员在硅负极表面设计了一层对氟离子具有选择性、高电导率的选择性阻隔层，以抑制氟离子的渗透。

2）通过利用该选择性层，副反应速率降低了1700倍，相应的SEI厚度减小了4倍。当电流密度为0.5 A g^-1时，该负极具有较高的Li⁺扩散系数，在缓慢延迟区的库仑效率为0.01%。

这项工作探索了本征化学反应的机理，并为今后改进硅基负极提供了方向。

Chunhui Yu, et al, Suppressing the side reaction by selective blocking layer to enhance the performance of Si-based anodes, Nano Lett., 2020

DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c01394

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.0c01394