以电子为试剂的电化学合成为商品化工生产提供了广阔的前景。从氨基C-N键电氧化到腈C≡N键的直接一步法为腈的生产提供了另一种途径。然而，无论是化学键重整过程还是性能优化，这一极具前景的课题都没有得到更深层次的研究。
有鉴于此，华中科技大学刘友文副教授，翟天佑教授，中科院上海高等研究院姜政研究员报道了一个具有富空位的Ni(OH)2原子层模型，以了解其与结构的性能关系
文章要点
1）研究人员通过对Ni-MOFs纳米片进行原位电化学转化，实现了具有多空位超薄Ni(OH)2纳米片的可控合成。
2）通过理论计算，研究人员发现，空位诱导的局部电正性位点通过孤对电子化学吸附N原子，然后攻击相应的N(sp3)-H，从而加速氨基C-N键直接将脱氢活化为腈C≡N键.
3）实验结果显示，富含空位的纳米片在1.38 V的中等电势下显示出高达96.5％的丙腈选择性。
4）研究人员通过原位傅里叶变换红外光谱（FT-IR）精确地验证了氨基C-N键向腈C≡N键的转化过程。
Wenbin Wang, et al, Vacancy-rich Ni(OH)2 Drives the Electrooxidation of Amino C-N Bonds to Nitrile C≡N Bonds, Angew. Chem. Int. Ed., 2020
DOI：10.1002/anie.202005574
https://doi.org/10.1002/anie.202005574
