铅基卤化物钙钛矿材料目前在光电化学器件中受到广泛关注，但是铅基卤化物钙钛矿材料的电荷传输性能仍没有很好的理解，特别是其中的接触电阻、温和条件中的较大程度上的回滞现象。目前，加州大学洛杉矶分校段镶锋等报道了一种通过范德瓦尔斯作用方法实现单晶钙钛矿薄膜材料在较小的界面破坏程度和原子级别干净的界面上构建较好的接触作用的方法。和沉积方法得到的界面接触相比，这种方法得到的界面接触在广泛的温度范围内实现了2~3个数量级上的界面电阻降低，并且在80 K附近实现了超过2000 cm² V^-1 s^-1的霍尔迁移率，超低的双分子复合系数（3.5×10^-15 cm³ s^-1），在这种钙钛矿薄膜中获得高于10⁶的光电流增益。磁运输研究结果显示，量子干涉引起了非常弱的定域作用，相位相干长度在3.5 K达到49 nm（和黑磷、InSe等载流子的浓度类似），该反应结果为开发这种“软格子”型材料的新型物理现象提供了经验和范例。

本文要点：

（1）

对基于范德瓦尔斯作用中的Au和钙钛矿材料接触的器件的I-V性能，电阻随不同温度的变化情况进行测试，并且显示在低至3.5 K中依然保持线性I-V变化。在300 K中18.8 mW cm^-2的蓝光LED照射中，范德瓦尔斯作用Au和钙钛矿材料接触器件的电阻在100 kΩ级别，沉积Au器件的电阻在20 MΩ级别。在20~3.5 K的范围内对磁阻进行测试，结果发现在这种低温中相位相干长度和温度之间有近似线性变化关系。

参考文献

Yiliu Wang, Zhong Wan, Qi Qian, Yuan Liu, Zhuo Kang, Zheng Fan, Peiqi Wang, Yekan Wang, Chao Li, Chuancheng Jia, Zhaoyang Lin, Jian Guo, Imran Shakir, Mark Goorsky, Xidong Duan, Yue Zhang, Yu Huang & Xiangfeng Duan*

Probing photoelectrical transport in lead halide perovskites with van der Waals contacts, Nature Nanotechnology 2020

DOI：10.1038/s41565-020-0729-y

https://www.nature.com/articles/s41565-020-0729-y