表面合成中的手性的研究对制备原子精确的共价键合手性物质以及揭示涉及化学反应的手性现象具有重要意义。近日，中科院化学所Dong Wang，Ting Chen等报道了基于空间位阻策略的表面单层同手性二维共价有机框架（COFs）的生长，通过该策略成功地控制了前手性前体的手性表达和新形成的C=N键。
本文要点：
1）当tritopic单体与带有苯基取代基的前手性ditopic分子偶联时，前驱体的两个对映异构体通过可变的C=N键无规地整合在产物中，导致扭曲的六角形骨架而没有手性表达。
2）在前手性前驱体中引入更大位阻的大体积取代基后，成功制备了高度规则的同手性二维COFs，其中仅前手性前驱体的一种对映异构体被整合到COFs中，并且所有C=N键具有相同的构型。
3) 基于高分辨率扫描隧道显微镜的结构分析和理论模拟表明，通过空间位阻效应驱动的对映选择性表面聚合可产生同手性二维COFs。
该工作的报道不仅有益于理解和控制表面合成中的手性，而且为表面上高度规则的COFs的生长提供了新的方法。
Cheng Lu, et al. On-Surface Growth of Single-Layered Homochiral 2D Covalent Organic Frameworks by Steric Hindrance Strategy. J. Am. Chem. Soc., 2020
DOI: 10.1021/jacs.0c06468
