在自旋信息进行微米、毫米级传输等量子信息传输的过程中，需要开发下一代低电压自旋逻辑电路。该过程中关键的过程在于对自旋的非拓扑保护，因为自旋相关信息非常容易消除。有鉴于此，巴黎大学Clément Barraud、天主教鲁汶大学Aurélien Lherbier等报道了通过互补金属氧化物半导体CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）技术路线实现自旋信息传输目标。

本文要点：

（1）

首先，在复合铁电金属/分子界面上自旋注入产生高自旋杂化态。随后，通过弱自旋耦合作用/超精细相互作用将自旋传递到内部导电的多壁碳纳米管中。随后通过较强的磁阻效应将自旋信号转化为电信号。这种放大的磁阻效应和偏压相关，并且通过自旋相关的分子杂化态生成的自旋极化态导致。

参考文献

Roméo Bonnet, Pascal Martin, Stéphan Suffit, Philippe Lafarge, Aurélien Lherbier*, Jean-Christophe Charlier, Maria Luisa Della Rocca and Clément Barraud*

Giant spin signals in chemically functionalized multiwall carbon nanotubes, Science Advances 2020

DOI：10.1126/sciadv.aba5494

https://advances.sciencemag.org/content/6/31/eaba5494