可剥离的范德华（vdW）化合物材料的磁性的发现吸引了人们对该材料的广泛兴趣，无论是用于基础研究还是技术应用。但是，当前的vdW磁体受到其对空气的极端敏感性，低温度和较差的电荷传输性能的限制。近日，哥伦比亚大学Cory R. Dean，Xavier Roy等报道了CrSBr的磁性和电子性质，这是一种空气稳定的vdW反铁磁半导体，容易垂直于堆叠轴分裂。

本文要点：

1）在其Néel温度以下（T_N = 132±1 K），CrSBr具有A型反铁磁结构，每个单独的层在内部被铁磁排列，并且各层沿堆叠方向反铁磁耦合。

2）扫描隧道光谱和光致发光（PL）光谱研究表明，其电子间隙为ΔE= 1.5±0.2 eV，相应的PL峰集中在1.25±0.07 eV。

3）作者通过磁传输测量证明了CrSBr中磁序和传输性能之间的强耦合，从而导致了较大的负磁阻响应，这在vdW材料中是独一无二的。

该工作表明，CrSBr有望成为增加vdW磁体在自旋电子学领域的适用性的有前途的材料平台。

Evan J. Telford, et al. ULayered Antiferromagnetism Induces Large Negative Magnetoresistance in the van der Waals Semiconductor CrSBr. Adv. Mater., 2020

DOI: 10.1002/adma.202003240

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202003240