在过渡金属二维硫化物中，通常激子的结合能为数百meV，对这类激子的详细结构对理解二维材料中的光电化学性能非常重要。有鉴于此，图卢兹大学C. Robert、B. Han，法国国家强磁场实验室（LNCMI）C. Faugeras等报道了单层MoS₂、MoSe₂的激子详细结构和测试，通过在高达30 T的强磁场中测试磁性-荧光光谱相互作用关系。

本文要点：

（1）

通过在横向的磁场测试，结果显示单层MoS₂中自旋禁阻暗激发被点亮：在亮激发附近稍低14 meV的位阻发现其存在。在倾斜的磁场中对中性激子精细结构进行非常详细的描述。实验中的结果和计算模型结果有类似结论。

参考文献

C. Robert*, B. Han*, P. Kapuscinski, A. Delhomme, C. Faugeras*, T. Amand, M. R. Molas, M. Bartos, K. Watanabe, T. Taniguchi, B. Urbaszek, M. Potemski & X. Marie

Measurement of the spin-forbidden dark excitons in MoS₂ and MoSe₂ monolayers. Nat Commun 11, 4037 (2020).

DOI: 10.1038/s41467-020-17608-4

https://www.nature.com/articles/s41467-020-17608-4