原子薄六方氮化硼(h-BN)是二维材料中的一颗新星。由于其原子平坦性、无悬键和良好的稳定性，被认为是其它2D材料器件的最佳基底。h-BN是中红外范围的天然双曲线材料，也是一种压电材料。这些独特的性质都有利于其在光电子学和电子学方面发挥应用。目前，这些应用大多仅基于概念验证阶段剥离的h-BN薄片。化学气相沉积(CVD)被认为是制备大规模、高质量、原子薄h-BN薄膜和异质结的最有前途的方法。

有鉴于此，哈工大胡平安教授综述了基于化学气相沉积生长h-BN及其异质结构的最新研究进展。

文章要点

1）原子薄层h-BN的CVD合成是研究的重点。作者系统地研究了h-BN单晶薄膜的生长动力学，提出了可控、可扩展制备h-BN单晶薄膜的一般策略。

2）作者综述了二维材料在h-BN上的外延生长及其边缘构造异质结构的研究进展，强调异质结构中各组分的特定取向可以引入新的特性。

3）作者最后总结了原子薄层h-BN及其异质结在光电子学和电子学中的应用。

Jia Zhang, et al, Atomically Thin Hexagonal Boron Nitride and Its Heterostructures, Adv. Mater. 2020

DOI: 10.1002/adma.202000769

https://doi.org/10.1002/adma.202000769