在MoS₂的基面上设计硫空位是提高其催化活性的有效方法。然而，传统的方法只对负载在载体（如Si/SiO晶片或碳纸）上的多层或单层MoS₂有效，而不能在块状或商用MoS₂中得到有效应用。

近日，哈工大于永生教授，杨微微副教授报道了一种简单而通用的化学还原方法，用于在多层MoS₂纳米片以及块状和商用MoS₂中产生S-空位，包括通过脱硫“活化”还原2H-MoS₂基面上的硫原子形成硫化氢（H₂S）气体，类似于NaBH₄还原金属氧化物中产生的氧空位。

文章要点

1）研究人员在具有多层MoS₂纳米片的结构精准的模型催化剂上进行了实验验证，结果显示出由化学还原生成的S空位。

2）研究人员通过在块状和商用MoS₂上还原产生S-空位进一步证明了该化学还原方法的通用性，从而显著提高了这两种情况下的HER活性。

3）研究发现，以多层MoS₂纳米片为模型，在延长的脱硫时间和操作时间下，HER的活性具有稳定性，并且S-空位浓度和活性可以随还原时间的不同而变化。

S. Geng, et al, Engineering Sulfur Vacancies in Basal Plane of MoS₂ for Enhanced Hydrogen Evolution Reaction, Journal of Catalysis (2020)

DOI：10.1016/j.jcat.2020.05.042

https://doi.org/10.1016/j.jcat.2020.05.042