忆阻器器件目前由于其在非易失性存储器与神经形态计算中的潜在应用前景受到广泛关注，将电阻开关器件和光响应材料进行结合能够实现将光学信息和电路集成。同时，二维材料目前同样受到广泛关注，因为其独特晶体结构使其展现出独特的物理化学性质。van der Waals固体材料在忆阻器领域展现了应用价值，通常情况中大部分忆阻器器件都是在通过机械剥离得到的薄片结构上构建得到，有鉴于此，以色列特拉维夫大学Ariel Ismach等报道了一种非常方便有效的策略，实现了在Si基底上生长大规模垂直排列的VA-MoS₂薄膜。

本文要点：

（1）

将高度掺杂的Si使用30 % HF刻蚀5 s，除去Si表面的SiO₂，随后通过电子束蒸发方法沉积15 nm Mo，随后气相沉积法和S进行反应，合成MoS₂。气相沉积过程：在200 ℃的100 cc Ar/5 cc H₂混合气氛中煅烧1 h，随后在60 cc Ar/5 cc H₂混合气氛中升温至800 ℃，并在S蒸气中进行2 h反应。随后降温至600 ℃，撤除S蒸发器，随后降温至室温状态。

（2）

基于这种MoS₂，作者在结构为Ag/VA-MoS₂/Si的忆阻器器件中，发现器件的起始电压非常低（＜0.5 V），保持时间较长（＞2×10⁴ s），高达350 ℃的热稳定性。该忆阻器器件还具有长期的LTP/LTD、光活性内存状态。以上大规模制备方法，结合较低的操作电压、较高的热稳定性、光响应性、LTP/LTD等性质为实际生活中的非易失性存储器应用提供方案。

参考文献

Kamalakannan Ranganathan, Mor Fiegenbaum‐Raz, Ariel Ismach*

Large‐Scale and Robust Multifunctional Vertically Aligned MoS₂ Photo‐Memristors, Adv. Funct. Mater. 2020

DOI: 10.1002/adfm.202005718

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202005718