二维材料制备合成的策略正快速发展，并促进了微米、纳米电子学存储器的快速发展，六方BN材料具有非常好的化学、机械、光学性能，并且能够实现纳米甚至亚纳米尺度的应用，因此有可能将传统的双端、三端器件中厚而硬的阻挡电介质材料，通过原子层厚度的薄层BN、BN异质结能够显著改善器件的可靠性、能力、功能。该方法对发展高密度的集成电路有较高的吸引力，但是对BN材料的性质、表征等分析有较大的区别，尤其是机理和电阻的调控没有深入研究。此外，最近人们对其在电子学、光电化学、自旋学等领域的进一步应用非常感兴趣。有鉴于此，深圳大学周晔、韩素婷等报道了最近挥发性或非挥发性的BN材料存储器，扩展了BN材料的功能应用，并讨论了BN材料相关存储器、逻辑电路的挑战和发展前景。

本文要点：

（1）

合成和基本性质。介绍了外延法、剥离法合成BN材料；BN材料的电子/光学性能；BN材料的晶界结构；晶格缺陷结构；BN和石墨烯形成的范德瓦尔斯异质结结构。

（2）

BN基结构电阻开关存储器。总结了电阻切换行为、突触结构应用、逻辑电路的应用、超薄绝缘层等的应用。

（3）

BN基晶体管、存储器，BN基自旋阀与磁隧穿结。此外，作者对BN面临的挑战总结、并进行展望。

参考文献

Xiao‐Tong Liu, Jin‐Rui Chen, Yan Wang, Su‐Ting Han*, Ye Zhou*

Building Functional Memories and Logic Circuits with 2D Boron Nitride, Adv. Funct. Mater. 2020

DOI: 10.1002/adfm.202004733

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adfm.202004733