快速沉积薄膜是实现低成本、高通量有机发光二极管（PHOLED）生产的关键。
近日，美国密西根大学安娜堡分校Stephen R. Forrest报道了一种通过有机气相沉积（OVPD）快速而均匀地生长半导体薄膜的策略。
文章要点
1）具有掺入4,4'-双（N-咔唑基）-1,1'的双[2-（2-吡啶基-N）苯基-C]（乙酰丙酮基）铱-（III）（Ir(ppy)2(acac）)联苯（CBP）发射层（EML）的，以50 Å/s生长的绿色PHOLED的最大外量子效率为20±1%。
2）研究人员采用实验和理论相结合的方法，研究了PHOLED EML的形貌、电荷输运特性和光电激发下的辐射效率随沉积速率的变化规律。在沉积速率高达50 Å/s时，EML没有发现有机分子气相成核（GPN），但由于三重极化子湮灭（TPA）增强，高电流密度下的量子效率的衰减随沉积速率的增加而逐渐增加。以高沉积速率生长的薄膜具有较大的内应力，与较慢沉积的薄膜相比，这会导致在异质界面形成的空隙或缺陷态密度较高，从而增加了TPA的可能性。
3）结果显示，50 Å/s的速率与滚轧工具中大于10 cm/s的衬底平移速度兼容，该工具具有1.5m长的沉积窗口，持续时间为15s，以产生75 nm（50 Å /s×15 s）厚的层。
Boning Qu, et al, Fast Organic Vapor Phase Deposition of Thin Films in Light-Emitting Diodes, ACS Nano, 2020
DOI：10.1021/acsnano.0c07017
https://dx.doi.org/10.1021/acsnano.0c07017
