ACS Nano:Mn2RhSn薄膜材料中的磁性/反磁性斯格明子研究
纳米技术 纳米 2020-10-11

人们在不同对称性晶体中探测磁性/反磁性斯格明子,发现Dzyaloshinskii-Moriya相互作用能够稳定铁磁性斯格明子/抗磁性斯格明子。有鉴于此,马克斯普朗克微结构物理研究所Stuart S. P. Parkin等报道了在Mn2RhSn薄膜中测试两种拓扑霍尔效应。

本文要点:

(1)

通过现象学研究法、电子输运模拟方法,作者发现这种拓扑霍尔效应能够归结于两种不同手性自旋物种(铁磁性斯格明子/抗磁性斯格明子)导致,拓扑霍尔效应研究结果有助于对两种在较大范围内的温度、磁场内变化的拓扑结构的存在性进行研究。

(2)

作者发现斯格明子能够在较低温度中稳定存在,说明这种双极性相互作用起到重要作用。

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参考文献

Pranava K. Sivakumar, Börge Göbel, Edouard Lesne, Anastasios Markou, Jyotsna Gidugu, James M. Taylor, Hakan Deniz, Jagannath Jena, Claudia Felser, Ingrid Mertig, and Stuart S. P. Parkin*

Topological Hall Signatures of Two Chiral Spin Textures Hosted in a Single Tetragonal Inverse Heusler Thin Film, ACS Nano. 2020

DOI: 10.1021/acsnano.0c05413

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.0c05413


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