对自然氧化物的深刻理解对于半导体器件的设计具有重要意义。
近日，美国麻省理工学院R. Jaramillo报道了ZrSxSe2-x合金和MoS2大块单晶的自发氧化速率及其机制的研究。
文章要点
1）结果显示，ZrSxSe2-x合金氧化迅速，氧化速率随Se含量的增加而增加。研究发现，基底表面的氧化是由良好的O2吸附激发，并通过Zr−O键转换机制进行，该机制使范德华能隙坍塌，并由硫族的渐进氧化还原转变促进。限速过程是SO2的形成和向外扩散。相反，由于不利的氧吸附，MoS2基表面不易被氧化，具有稳定性。
研究结果为ZrSxSe2-x和MoS2基的半导体器件的设计和处理提供了指导，并阐明了具有竞争性阴离子的层状材料中键合和相变的原子尺度机理。
Seong Soon Jo, et al, Growth Kinetics and Atomistic Mechanisms of Native Oxidation of ZrSxSe2-x and MoS2 Crystals, Nano Lett., 2020
DOI: 10.1021/acs.nanolett.0c03263
https://dx.doi.org/10.1021/acs.nanolett.0c03263
