含C-Si键的杂芳环分子是重要的天然产物、药物分子、有机材料相关分子结构，其中杂芳环分子的C-H硅烷化特别重要，吲哚C-H硅烷化优先在亲核C3、C2位点（杂环）上修饰，因此在C4~C7位点上（苯环）上难以实现。有鉴于此，南京大学史壮志、加州大学洛杉矶分校K. N. Houk等报道了在吲哚的C7位点上进行修饰，其中这种区域选择性通过Pd催化剂和膦（III）导向基进行调控和实现，能够实现合成广泛的C7-硅烷化产物，同时该方法具有广泛的官能团兼容性。

本文要点：

（1）

反应优化。以N-二叔丁基膦吲哚（1a）作为反应物，加入10 mol % Pd(OAc)₂催化剂，加入3.5倍量DMBQ、5倍量Si₂Me₆，在120 ℃甲苯中反应3天，在C7位点上安装SiMe₃。

（2）

此外，该方法学能够拓展到咔唑型杂芳环物种。合成得到的不同吲哚能够用于进一步的转化为各种吲哚衍生物。其中，作者通过Pd环状中间体物种，验证了该反应通过P(III)导向C-H键金属化。通过一系列机理实验、密度泛函理论（M06-2X）计算揭示了该C-H硅烷化反应中的选择性。

参考文献

Wang, D., Chen, X., Wong, J.J. et al. Phosphorus(III)-assisted regioselective C–H silylation of heteroarenes. Nat Commun 12, 524 (2021). 

DOI: 10.1038/s41467-020-20531-3

https://www.nature.com/articles/s41467-020-20531-3