Angew:半导体型Ca6[Ge2N6]、Sr6[Ge2N6]的合成、表征
纳米技术 纳米 2021-02-02

斯图加特大学Rainer Niewa、马克思·普朗克固体化学物理研究所Peter Höhn等报道了首例锗氮化物Ca6[Ge2N6]和Sr6[Ge2N6]分子,通过钠基熔盐方法合成,随后通过粉末、单晶XRD进行表征。

本文要点:

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作者发现两个分子的晶体结构上为异构形式,此类分子含有以往未曾发现的可分离的类乙烷结构[GeIII2N6]12-阴离子,通过电阻测试和电子结构计算发现该分子为半导体,其中Ga6[Ge2N6]的能带为1.1 eV,Sr6[Ge2N6]的能带为0.2 eV。

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参考文献

Lukas Link, Manisha Pathak, Franziska Jach, Primoz Kozelj, Alim Ormeci, Peter Höhn,* and Rainer Niewa,* The reduced Nitridogermanates(III) Ca6[Ge2N6] and Sr6[Ge2N6] with Ge–Ge Bonds, Angew. Chem. Int. Ed. 2021,

DOI: 10.1002/anie.202017270

https://www.onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/anie.202017270


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