低对称性2D材料具有极强的面内各向异性，是构建多功能光电子器件的理想平台。然而，多畴结构的随机取向和易形成导致这些材料的单晶合成仍然是一个巨大的挑战。

近日，陕西师范大学徐华教授，雷志斌教授，韩国蔚山国立科学技术研究所Feng Ding，中科院深圳先进技术研究院Xiao Wang报道了基于材料与不同对称性的Au衬底之间的强相互作用，利用界面工程，成功实现了典型低对称性2D材料ReS₂的定向控制合成。

文章要点

1）研究发现，ReS₂的晶格取向和生长行为与Au小面的晶格对称性密切相关。研究人员在四重对称Au(001)面和二重对称Au(101)面上分别获得了具有两个或甚至一个取向的单晶ReS₂畴。结合密度泛函理论计算，研究人员证实了超强ReS₂-Au界面耦合和Au小面对称性降低的协同作用是实现Au本征各向异性生长的关键。

2）基于具有取向良好的单晶ReS₂的器件的电学和光电性能得到了极大的提高。因此，这项工作为低对称性2D材料晶圆级单晶的可控合成及其实际器件应用提供了重要的指导意义。

参考文献

Xiaobo Li, et al, Realizing the Intrinsic Anisotropic Growth of 1T′ ReS₂ on Selected Au(101) Substrate toward Large-Scale Single Crystal Fabrication, Adv. Funct. Mater. 2021

DOI: 10.1002/adfm.202102138

https://doi.org/10.1002/adfm.202102138