JACS:BiVO3F中氟掺杂引发自旋V对光电性能的影响
纳米技术 纳米 2021-04-29

里尔大学Olivier Mentré等报道了合成、表征、鉴定BiVO3F材料,其中含有顺磁性V4+位点,该BiVO3F的晶体结构中表现1D磁性结构,沿着八面体链具有结构罕见的O-O、F-F μ2桥联结构。其中沿着O2的结构导致产生反铁磁性(S=0)的自旋二聚体,J/Kb≈300 K,其数值比F2桥的强度高~15倍。

本文要点:

(1)

虽然BiVO3F与BiVO4在结构、元素组成、电子结构上非常类似,同时BiVO4是在太阳能分解水中非常重要的光阳极材料,BiVO3F的光活性强度较为适中,这是因为电子成对导致电子-空穴能够快速复合。V4+自旋二聚体受到光激发后,产生单重态→三重态跃迁,但是该过程载流子寿命较低。

(2)

通过在BiVO4中掺入d1阳离子,形成的BiVO3F能带从~2.4 eV降低至~1.7 eV,说明这种掺杂能够作为局域改善光活性的有效方法,这种d→d跃迁能够显著增强可见光吸收区间,为构建光阳极提供了一种合理的设计方法。

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参考文献

Olivier Mentré*, Miguel A. Juárez-Rosete, Sebastien Saitzek, Cintli Aguilar-Maldonado, Marie Colmont, and Ángel M. Arévalo-López, S = 1/2 Chain in BiVO3F: Spin Dimers versus Photoanodic Properties, J. Am. Chem. Soc. 2021

DOI: 10.1021/jacs.1c00621

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/jacs.1c00621


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