ACS Catal:邻近吡咯N掺杂改善FeN4位点ORR催化活性
纳米技术 纳米 2021-05-11

达到原子级分散程度的FeN4催化剂被认为能够有望替代Pt基催化剂用于ORR催化反应,但是由于结构对称性,导致FeN4催化剂面临着O2活化反应动力学速率缓慢的缺点。有鉴于此,台湾同步辐射研究中心詹丁山、中南大学刘敏等报道了一种在FeN4位点附近引入N原子(包括吡咯N原子(PN)、石墨N原子(GN))作为电子受体,从而调控FeN4催化位点的电荷分布,改善ORR催化活性。催化性能对比发现,在FeN4位点附近引入吡咯N原子位点,ORR性能得以显著改善。DFT计算结果显示,吡咯N原子显著改善电子重新分布、局部电场分布,产生的效果比石墨N原子、未加入吡咯/石墨N原子的情况好。

本文要点:

(1)

作者通过同步辐射XAS光谱、XPS光谱,揭示了由于吡咯N原子修饰,FeN4位点中的Fe原子上的正电荷发生累积,从而显著改善了ORR催化活性,在0.1 M KOH进行ORR催化,半波电位达到0.91 V,Tafel斜率达到58 mV dec-1

(2)

本文研究结果未设计和改善单原子催化剂提供经验,提供了一种调节电荷分布位点改善单电子位点催化活性的方法。

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参考文献

Yiyang Lin, Kang Liu, Kejun Chen, Yan Xu, Hongmei Li, Junhua Hu, Ying-Rui Lu, Ting-Shan Chan*, Xiaoqing Qiu, Junwei Fu, and Min Liu*, Tuning Charge Distribution of FeN4 via External N for Enhanced Oxygen Reduction Reaction, ACS Catal. 2021, 11, 6304–6315

DOI: 10.1021/acscatal.0c04966

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acscatal.0c04966


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