高度单分散的胶体InAs量子点(QDs)具有优异的光电性能,在红外探测器、光伏等领域具有广阔的应用前景。最近,人们引入了一种连续注射的合成工艺来合成尺寸均匀的InAs QDs。尽管如此,其粒径增加超过5 nm的合成往往会受到生长抑制的影响。此外,生长过程中的二次形核或晶间成熟也伴随着尺寸的不均匀性。
近日,韩国成均馆大学Sohee Jeong报道了通过模拟和实验研究了单分散胶体InAs QDs生长的连续注入过程。
文章要点
1)为了监测QDs尺寸增大时的生长行为,研究人员对QDs的体积和反应物进行了定量比较,然后利用修正的菲克定律通过数学分析得到了连续注入过程的生长模型。基于模型和实验数据,研究人员发现溶液和QDs之间的浓度梯度决定了InAs QDs的尺寸范围,通过控制单体通量可以提供更优化的合成条件。
2)通过连续过程中的扩散动力学控制(DDC),研究人员成功合成了尺寸大于9.0 nm(最大1600 nm)且具有窄尺寸分布(12.2%)的InAs QDs。
这项研究中提出的扩散动态控制合成有效地控制了单体通量,从而克服了源于单体反应性的纳米晶体在溶液中生长的尺寸限制。
参考文献
Shi, Y., Ma, ZR., Xiao, YY. et al. Electronic metal–support interaction modulates single-atom platinum catalysis for hydrogen evolution reaction. Nat Commun 12, 3021 (2021).
DOI:10.1038/s41467-021-23306-6
https://doi.org/10.1038/s41467-021-23306-6