Sb₂S₃是重要的光吸收材料，Sb₂S₃材料表现了优异的稳定性、丰富的储量。由于其表准一维对称性结构，理论研究结果显示在Sb₂S₃材料中具有复杂缺陷，但是目前仍未有相关实验研究对其缺陷位点性质进行揭示。有鉴于此，中科大陈涛等报道通过光学深能级瞬态光谱DLTS（deep-level transient spectroscopy）对Sb₂S₃材料中的缺陷结构进行研究，揭示了其中三种最主要的深能级缺陷，这偕缺陷结构与Sb₂S₃的组成有关。

本文要点：

（1）

虽然理论上Sb₂S₃可能存在复杂的缺陷，但是作者在实验中发现仅仅少数种类缺陷，同时缺陷类型、浓度与阴离子/阳离子比例有关。

作者发现Sb间隙型缺陷位点（Sb_i）对载流子的寿命并未表现显著影响，说明这种一维结构对缺陷结构具有较好的容忍性，因为(Sb₄S₆)_n带状结构能够在一定程度上消除缺陷。

（2）

本文研究结果为深入理解准一维结构材料的缺陷性质、为提高Sb₂S₃基太阳能电池效率提供经验和指导。

参考文献

Lian, W., Jiang, C., Yin, Y. et al. Revealing composition and structure dependent deep-level defect in antimony trisulfide photovoltaics. Nat Commun 12, 3260 (2021).

DOI: 10.1038/s41467-021-23592-0

https://www.nature.com/articles/s41467-021-23592-0