Cu(In,Ga)S₂的进展仍然受到很大限制，这主要是由于体相和界面处的光电压 (V_oc) 损失。卢森堡大学Susanne Siebentritt和Sudhanshu Shukla等人通过光致发光、阴极发光、电测量和从头建模的组合，我们解决了体相和界面损耗，以改善1.6 eV 带隙的Cu(In,Ga)S₂的器件性能。

本文要点：

1）降低[Cu]/[Ga+In] (CGI) 比值后，吸收体的光电质量得到改善。这主要归因于抑制深缺陷、更高的准费米能级分裂 (QFLS)、提高电荷载流子寿命和较高的 V_oc。进一步通过比较各种固有缺陷的形成能量，将反位 CuIn/CuGa 确定为限制性能的主要深度缺陷。在贫铜器件中使用 Zn(O,S) 缓冲层抑制界面复合，导致复合活化能等于带隙值。 最终开发了无 H₂S、无 Cd 和无 KCN 工艺的Cu(In,Ga)S₂的器件制备，器件的效率为 15.2%，V_oc 为 902 mV。

Sudhanshu Shukla et al. Over 15% efficient wide-band-gap Cu(In,Ga)S2 solar cell: Suppressing bulk and interface recombination through composition engineering, Joule, 2021

https://doi.org/10.1016/j.joule.2021.05.004

https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S2542435121002087#!