二维（2D）材料的相控合成对于调节相关的电学、光学和磁学性质具有重要意义。

近日，湖南大学段曦东教授，余刚，Mongur Hossain报道了通过合理控制化学气相沉积中的Fe/Te比，实现了四方和六方FeTe纳米片的相控合成。

文章要点

1）密度泛函理论（DFT）计算表明，随着Fe/Te比的变化，活性团簇的形成能发生变化，从而实现FeTe纳米片的相控合成。

2）得到的FeTe纳米片的厚度可调至2D极限（四方FeTe为2.8 nm，六方FeTe为1.4 nm）。此外，X射线衍射、透射电子显微镜和高分辨率扫描透射电子显微镜表征结果表明，所生长的FeTe纳米片具有较高的结晶度。

3）实验结果显示，四方和六方FeTe纳米片这两种纳米片均表现出金属性和良好的导电性，对于9.8 nm厚的四方FeTe，电导率性达到8.44×10⁴ S m⁻¹；对于7.6 nm厚的六方FeTe，电导率达到5.45×10⁴ S m⁻¹。

这项研究为FeTe纳米片的物相调节提供了一条高效、便捷的途径，有利于研究其相敏特性，并为合成其他相可控的多相2D纳米片铺平了道路。

参考文献

Hongmei Zhang, et al, Phase-Selective Synthesis of Ultrathin FeTe Nanoplates by Controllable Fe/Te Atom Ratio in the Growth Atmosphere, Small 2021

DOI: 10.1002/smll.202101616

https://doi.org/10.1002/smll.202101616