由于铋（Bi）的低熔点和高亲氧性，目前还缺乏直接的方法来制备高质量的Bi纳米片，尤其是生长Bi纳米片阵列（Bi NAs）。这无疑障碍阻碍了它们的潜在应用。

近日，苏州大学李彦光教授报道了首次通过电偶置换反应在不同形状和尺寸的Cu衬底上制备了大面积垂直排列的Bi NAs。

文章要点

1）该反应通过两个耦合但在空间上分离的半反应进行，导致金属载体下面的逐渐腐蚀，并在载体上同时生长Bi纳米片。得到的纳米片具有2-3层原子层对应的小厚度，大的比表面积，以及纳米片之间丰富的孔隙率。

2）在泡沫Cu载体上生长的Bi NAs具有极大的CO₂电化学还原应用潜力。其催化合成甲酸酯的选择性高达90%以上，在−0.95 V下的部分电流密度高达45 mA cm⁻²，同时具有良好的稳定性。

这项研究扩展了一种新的化学技术，实现了独特的2D纳米结构，并且获得了良好的CO₂转化性能。

参考文献

Jia Fan, et al, Large-Area Vertically Aligned Bismuthene Nanosheet Arrays from Galvanic Replacement Reaction for Efficient Electrochemical CO₂ Conversion, Adv. Mater. 2021

DOI: 10.1002/adma.202100910

https://doi.org/10.1002/adma.202100910