识别电荷选择性接触层与钙钛矿层的包埋界面处的电子过程对于光伏和光催化研究至关重要。德国姆霍兹柏林能源与材料亥研究院Igal Levine等人采用瞬态表面光电压 (SPV) 用于研究不同空穴选择性咔唑基小分子单层（自组装单层，SAMs）的钝化。

本文要点：

1）结果表明，瞬态 SPV 和瞬态光致发光提供了关于电荷转移动力学和俘获/解俘机制的补充信息，并且俘获辅助的非辐射复合损失源于 SAM 改性的 ITO/钙钛矿界面处的电子俘获。通过将 SPV 瞬变与极简动力学模型拟合而获得的空穴转移率和界面电子陷阱密度在很大程度上取决于 SAM 的化学结构。

2）在高度钝化的 c -Si 表面，采用 Me-4PACz SAM层可以使得界面陷阱密度降低至 10⁹ cm^-2 ，并用于创纪录的钙钛矿/硅串联太阳能电池（29.51%效率）。提取的空穴传输速率常数和界面陷阱密度与高效太阳能电池的相应填充因子和开路电压密切相关。

Igal Levine  et al. Charge transfer rates and electron trapping at buried interfaces of perovskite solar cells, Joule, 2021

https://doi.org/10.1016/j.joule.2021.07.016