Nano Res.:硼浸出导致的富空位的Ni用于增强HER
Nanoyu Nanoyu 2021-09-02


在过渡金属基催化剂中增加空位往往能有效地提高其电催化析氢(HER)性能。

近日,澳大利亚悉尼科技大学黄振国报道了通过在石墨烯前驱体表面生成二维(2D)Ni2B,然后浸出B,制备了一种富空位的Ni纳米薄片。

文章要点

1以石墨烯为载体,通过还原和退火,首次获得了原子层状Ni2B纳米薄片。然后,通过浸出硼原子,在Ni2B层中产生大量的原子空位。

2实验结果显示,在碱性溶液中,富空位Ni/Ni(OH)2异质结构纳米片在10 mA cm−2的电流密度下表现出显著的HER性能,其过电位为159 mV,明显低于其前驱体的过电位(262 mV)。

3研究发现,HER性能的提高与催化剂中空位的形成有关,空位为Ni/Ni(OH)2异质界面用于HER引入了更多的活性中心。

这项工作为引入空位和提高催化剂电催化活性提供了一条简便易行的通用途径。

 

参考文献

Chao Han, et al, Boron leaching: Creating vacancy-rich Ni for enhanced  hydrogen evolution, Nano Res., 2021

DOI: 10.1007/s12274-021-3787-z

https://doi.org/10.1007/s12274-021-3787-z


加载更多
1232

版权声明:

1) 本文仅代表原作者观点,不代表本平台立场,请批判性阅读! 2) 本文内容若存在版权问题,请联系我们及时处理。 3) 除特别说明,本文版权归纳米人工作室所有,翻版必究!
痴迷文献

专注能源材料领域最新科研进展 做文献收集人

发布文章:11746篇 阅读次数:11629109
纳米人
你好测试
copryright 2016 纳米人 闽ICP备16031428号-1

关注公众号