二维（2D）材料在下一代高性能光电探测器中显示出巨大的应用前景。然而，基于2D材料的光电探测器的性能通常需要平衡光响应率和光探测率。

近日，华中科技大学周兴报道了通过剥离每一种材料并通过范德华集成进行堆积，构建了一种PdSe₂/MoS₂ 结型场效应晶体管（JFET）光电探测器。

文章要点

1）JFET具有优异的电学性能，例如150 mV dec⁻¹的小亚阈值摆幅（SS），213 cm² V⁻¹ s⁻¹的高载流子迁移率。除了顶栅外，我们还引入了SiO₂/Si作为背栅，以进一步调节光电探测性能。采用双栅调制，可同时实现高响应度（6×10² A W⁻¹）和高探测率（10¹¹ Jones）。

2）JFET光电探测器的高性能得益于双栅对耗尽区的有效调制。一方面，耗尽区可以有效地抑制暗电流；另一方面，由于光伏效应，当被入射光照射时，耗尽区域的厚度减小，从而允许大的光电流。因此可以实现高检测性和响应性。

这种JFET光电探测器为开发高性能光电探测器提供了一种新方法。

参考文献

Haoyun Wang, et al, Junction Field-Effect Transistors Based on PdSe₂/MoS₂ Heterostructures for Photodetectors Showing High Responsivity and Detectivity, Adv. Funct. Mater. 2021

DOI: 10.1002/adfm.202106105

https://doi.org/10.1002/adfm.202106105