被量子机械地限制在固态界面的高导电金属气体是探索不寻常电子态的理想平台，因为这些电子态在体相材料中是无法获得的。尽管在传统的半导体界面中已经实现了二维电子气体，但二维空穴气体（二维电子气体的对应物）的例子仍然有限。近日，东京大学Jun Takeya，Shun Watanabe等报道了在溶液处理的有机半导体中观察到二维空穴气体。
本文要点：
1）高迁移率有机半导体的分子扁平单晶作为无缺陷界面，促进高密度空穴的二维限制。
2）6 kΩ的低薄层电阻和1014 cm-2的高空穴气体密度导致在环境压力下发生金属-绝缘体的转变。
该工作提出的有机二维空穴气体将成为对有机半导体中电子状态基本理解的里程碑，报道的有机半导体中测量的简并空穴为通过分子工程异质界面定制低维电子态提供了机会。
Naotaka Kasuya, et al. Two-dimensional hole gas in organic semiconductors. Nat. Mater., 2021
DOI: 10.1038/s41563-021-01074-4
