全无机和无铅 CsSnI3正在成为近红外钙钛矿发光二极管 (NIR Pero-LED) 的最有希望的候选者之一，其实际应用包括面部识别、生物医学仪器、夜视相机和光保真度。然而，在基于CsSnI3的Pero-LED中，空穴注入明显高于电子，导致电荷注入不平衡、激子耗散和器件性能不佳。华侨大学魏展画等人通过调整钙钛矿和电荷传输层的界面面积来管理电荷注入和复合行为。
本文要点：
1）在空穴传输层上制备了树枝状CsSnI3结构，仅与空穴传输层底部接触，并将所有其他可用的晶体表面暴露给电子传输层。换句话说，钙钛矿/电子传输层的界面面积明显高于钙钛矿/空穴传输层的界面面积。
2）此外，钙钛矿/电子传输体的嵌入界面可以在空间上限制空穴和电子，增加辐射复合。通过利用树枝状结构，实现了高效的无铅NIR Pero-LED，外量子效率 (EQE) 达到了创纪录的5.4%。更重要的是，树枝状结构在柔性器件中显示出极大的优势，弯曲2000次后几乎没有形态变化。制造的Pero-LED在弯曲 50 次后可以保持初始 EQE 的 93.4%。
Lu, J., Guan, X., Li, Y., Lin, K., Feng, W., Zhao, Y., Yan, C., Li, M., Shen, Y., Qin, X., Wei, Z., Dendritic CsSnI3 for Efficient and Flexible Near-Infrared Perovskite Light-Emitting Diodes. Adv. Mater. 2021, 2104414. https://doi.org/10.1002/adma.202104414
