钙钛矿光伏发展迅速，但关于点缺陷的问题仍然存在。虽然实验已检测到电活性缺陷的存在，但尚未报道经实验证实的微观鉴定。查尔摩斯工学院David J. Keeble等人在密度泛函理论的帮助下，使用正电子湮没寿命光谱确定了 MAPbI₃ (MA = CH₃NH₃⁺) 中的铅单空位 (V_Pb) 缺陷。薄膜和单晶样品的实验均表现出主导正电子俘获导致空位缺陷，并且确定了~3×10¹⁵ cm^-3的最小缺陷密度。

本文要点：

1）在少数样品中发现了空位复合体的证据(V_PbV_I)，但未观察到MA离子空位的捕获。该实验结果支持了其他第一性原理研究的预测，即深层、空穴捕获、V_Pb，其中点缺陷是 MAPbI₃ 中最稳定的缺陷之一。

2）这种在技术相关浓度下直接检测和识别卤化物钙钛矿中的深层天然缺陷将有助于进一步研究缺陷驱动机制。

Keeble, D.J., Wiktor, J., Pathak, S.K. et al. Identification of lead vacancy defects in lead halide perovskites. Nat. Commun. 12, 5566 (2021). 

https://doi.org/10.1038/s41467-021-25937-1