光致发光 (PL) 闪烁是与电荷俘获和缺陷动力学相关的纳米结构半导体中的常见现象。 PL 闪烁动力学表现出非常广泛分布的时间尺度。传统上采用的ON和OFF事件概率分布分析在复杂 PL 轨迹中的确定中存在歧义，使其适用性受到质疑。隆德大学Ivan G. Scheblykin和沃沃茨基化学动力学与燃烧研究所Pavel A. Frantsuzov等人采用了适用于任何复杂度波动的统计上正确的功率谱密度 (PSD) 估计方法。

本文要点：

1）亚微米MAPbI₃晶体在高频下的闪烁轨迹的PSD遵循具有激发功率密度相关参数的幂律。然而，在小于0.3 Hz的频率下，大多数PSD会饱和，这表明在0.5-10 秒的范围内存在最大的闪烁特征时间尺度，与激发功率密度无关。

2）超分辨率光学显微镜显示特征时间尺度是独立于多晶性的固有材料特性。因此，首次观察到纳米粒子多尺度闪烁行为的最大时间尺度，证明幂律统计对于半导体并不通用。

3）有人提出，金属卤化物钙钛矿的粘弹性可以通过限制晶格先前变形/重新排列的记忆来限制PL波动的最大时间尺度。

Seth, S., Podshivaylov, E. A., Li, J., Gerhard, M., Kiligaridis, A., Frantsuzov, P. A., Scheblykin, I. G., Presence of Maximal Characteristic Time in Photoluminescence Blinking of MAPbI₃ Perovskite. Adv. Energy Mater. 2021, 2102449. 

https://doi.org/10.1002/aenm.202102449

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/aenm.202102449