发展电阻开关交叉点阵列作为下一代高密度存储、内存计算、神经系统计算等特别需要发展计算机中的两个组分，其表现与目前操作需求有所区别。目前各种不同器件的操作技术中需要进行反复的进行电流波动变化，是其中的主要难点。

有鉴于此，清华大学裴京、刘大猛、李黄龙，北京信息科技大学段文睿等报道发现通过具有电化学活性的低导热、低熔点的半导体Te丝能够解决这个问题，在作为选择器或存储器的过程中分别在各自工作电流区间内有效的进行工作。进一步的，作者制作了一连串的两个Te半导体器件，分别作为选择器和存储器进行工作，实现了选择器-存储器的工作模式，说明半导体Te能够作为普适性的阵列半导体结构单元。

 本文要点：

（1）

通过一些器件优化验证发现，Te基电阻转变器件具有比较广阔的设计空间和机会。比如作为对不同功焓进行作为保护电极、或者作为不同导热系数材料的介电材料时都显著影响相关器件的工作性能。

（2）

作者认为Te材料的独特电化学-热化学性质是导致这种新颖的现象产生的原因，这种独特电化学、热化学性质为Te用于下一代电阻转换器器件提供广泛的机会。

参考文献

Yang, Y., Xu, M., Jia, S. et al. A new opportunity for the emerging tellurium semiconductor: making resistive switching devices. Nat Commun 12, 6081 (2021).

DOI: 10.1038/s41467-021-26399-1

https://www.nature.com/articles/s41467-021-26399-1