迄今为止，除石墨烯之外的二维元素材料的可扩展合成仍然难以实现。

近日，慕尼黑工业大学Willi Auwärter，Marc G. Cuxart，慕尼黑联邦国防军大学Hermann Sachdev报道了开发了一种通用的化学气相沉积(CVD)方法，通过选择性地使用源自硼氮烷的可追踪副产物的乙硼烷来生长硼烯（borophene）以及硼烯异质结构。具体来说，在铱(111)和铜(111)单晶衬底上成功合成了金属硼烯多晶型物，并与绝缘六方氮化硼（hBN）结合形成原子级精确的侧向硼烯-hBN界面或垂直范德华异质结构。因此，硼烯被单一的hBN覆盖层保护而不会立即氧化。

文章要点

1）使用所提出的技术从一个供应容器中定量供给不同的化学气相沉积前体允许选择性沉积硼烯(来自乙硼烷)或hBN片(来自硼氮烷)或硼烯和hBN的组合横向/纵向异质结构。此外，研究人员还强调了高纯度前体与单相选择性沉积之间的关系。

2）硼烯畴的各向异性形态进一步实现了原子级的精确排列和其他成分的接触，就像hBN的情况一样。此外，这种通用方法可用于不同的衬底，并为原位生长异质结构开辟了途径，包括具有互补性质的低维材料，以及保护硼烯免受氧化。

通过直接化学气相沉积法合成具有微米级大单晶畴的高质量硼烯，为研究其基本性质和器件的结合提供了机会。

参考文献

Marc G. Cuxart, et al, Borophenes made easy, Sci. Adv., 2021

DOI: 10.1126/sciadv.abk1490

https://www.science.org/doi/10.1126/sciadv.abk1490