将高质量的半导体-超导体器件集成到可扩展且互补型金属-氧化物-半导体兼容架构中仍然是一个突出的挑战，目前阻碍了它们的实际应用。近日，IBM 欧洲研究中心Fabrizio Nichele等报道了InAs 纳米线在超导 TiN/SiO2 横向腔内的 Si 上的外延生长。
本文要点：
1）晶体半导体在绝缘 SiO2 模板腔内生长，该腔具有集成的超导元件，从而形成平坦的半导体-超导体混合界面。该技术具有可扩展性和互补型金属氧化物半导体兼容性，因为它基于模板辅助选择性外延(TASE)平台，其中 III-V 族半导体在绝缘腔内生长。
2）纳米线在衬底上横向排列并沿任意晶体方向生长。作者通过扫描透射电子显微镜研究了混合界面，并详细研究了各种模板中的 InAs 外延生长。作者还展示了邻近杂化TASE NW 的隧道光谱。
3) 传输光谱揭示了半导体中的邻近感应超导性，具有透明的混合界面。
Markus F. Ritter, et al. Semiconductor Epitaxy in Superconducting Templates. Nano Lett., 2021
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c03133
