由量子点、纳米线和二维材料等低维材料制成的光电探测器具有非常高响应率。然而，人们普遍不理解最大化内部增益为什么会损害低光照水平下的检测器性能，从而降低其灵敏度。作者表明，对于大多数具有内部增益的低维光电探测器，其灵敏度由结电容决定。由于其极小的结电容和减少的电荷屏蔽，低维材料和器件在追求高灵敏度光电探测器方面比体相半导体具有明显的优势。近日，美国西北大学Hooman Mohseni等总结了一种设计高灵敏度低维光电探测器的新方法
本文要点：
1）作者描述并验证了一种通过外部光响应测量来估计电容的方法，提供了一种直接的方法来提取设备灵敏度和针对物理限制的基准。
2）这种改进的物理理解可以指导低维光电探测器的设计，以有效利用其独特的优势，并实现可以超过现有最佳光电探测器的灵敏度。
Mohsen Rezaei, et al. A New Approach to Designing High-Sensitivity Low-Dimensional Photodetectors. Nano Lett., 2021
DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c03665
