金属卤化物钙钛矿具有优异的光电特性，如摩尔消光系数高、载流子迁移距离长、能带隙可调、缺陷容忍度高等，在太阳能电池和发光二极管 (LED) 等领域有着广阔的应用前景。基于微观晶体结构的不同，金属卤化物钙钛矿可分为零维、低维和三维等。其中，低维钙钛矿材料具有量子限域效应，激子结合能较大，不易产生非辐射复合，发光效率较高等优点。但是，要开发应用于LED的高效、稳定的低维金属卤化物钙钛矿材料还面临着两大挑战：
1）一是如何抑制杂乱无序的量子阱结构的形成。混乱的量子阱结构会导致能量从宽带隙量子阱向窄带隙量子阱传递，产生耗散，不利于器件的发光效率、色纯度。
2）二是如何进一步钝化薄膜内的非辐射复合缺陷。过多的非辐射复合缺陷中心会导致载流子的耗散和无效复合，不利于器件的发光效率和稳定性。
为了提高低维钙钛矿LED器件的性能，多伦多大学的Edward H. Sargent团队和华侨大学的魏展画团队共同提出低维金属卤化物钙钛矿的表面钝化—阱宽调控策略。
本文要点：
1）如图1所示，在反溶剂引发的结晶过程中，[PbBr6]4-、MA+和Cs+离子先形成钙钛矿前驱体薄片，然后PEA+有机阳离子与前驱体薄片作用生成低维钙钛矿发光薄膜。参照组中，PEA+有机阳离子的无序、快速扩散导致缺陷中心和杂乱维度的量子阱结构的产生。
2）实验组中，TPPO和TFPPO分子中的P=O键可以和钙钛矿前驱体薄片发生P=O:Pb2+相互作用，有效地调控结晶过程，减少了缺陷中心的产生。此外，TFPPO中丰富的F基团可以和PEA+有机阳离子相互作用，起到原料缓释和延缓结晶生长的作用，最终形成维度均一的高质量钙钛矿发光薄膜。
3）如图2所示，这种薄膜具有均匀、致密的表面形貌，发光波长517 nm，发光半峰宽仅20 nm，光致发光效率接近100%。所制备的绿光LED器件外量子效率高达25.6%，在7,200 cd m-2亮度下运行寿命达到2小时，远超目前报道的同类器件。
图1. 三种钙钛矿发光薄膜的成膜过程示意图，其中PEA表示苯乙基铵盐，TPPO表示三苯基氧化膦，TFPPO表示三（4-氟苯基）氧化膦。
图2. (a)钙钛矿LED器件的结构示意图、截面透射电镜图和能级结构示意图；(b)三种钙钛矿LED器件对应的电流-电压曲线、亮度-电压曲线和外量子效率-亮度曲线；(c)三种钙钛矿LED器件的外量子效率统计分布图；(d)三种钙钛矿的单电子和单空穴器件的电流-电压曲线；(e)基于TFPPO处理的钙钛矿LED器件的工况寿命曲线。
Ma, D., Lin, K., Dong, Y. et al. Distribution control enables efficient reduced-dimensional perovskite LEDs. Nature 599, 594–598 (2021).
https://doi.org/10.1038/s41586-021-03997-z
