虽然人们已经在理论上预测了半导体纳米线的取向相关特性，但由于控制纳米线晶体生长方向的局限性，其研究在许多领域一直被忽视。

近日，成均馆大学Dongmok Whang，Byung-Sung Kim报道了介绍了一种通过自催化低压化学气相沉积法生长单晶锗（Ge）纳米线（NWs）的方法。

文章要点

1）通过调节生长温度，可以在同一衬底上选择性地控制GeNWs的生长方向为〈110〉，〈112〉，或〈111〉方向。

2）具有不同生长方向的NWs表现出不同的形貌特征，使得NWs的形貌可以从均匀的NWs控制到纳米带结构。

3）值得注意的是，基于VLS的〈111〉取向GeNW的自催化生长表明，即使没有合适的外部催化剂，单一的元素材料也可以进行NW生长。

这些发现有望为研究半导体 NWs的取向相关特性提供机会。

参考文献

Hyeon-Sik Jang, et al, Self-Catalytic Growth of Elementary Semiconductor Nanowires with Controlled Morphology and Crystallographic Orientation, Nano Lett., 2021

DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c02982

https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.1c02982