虽然2D过渡金属硫化物材料是广泛的光电材料器件领域非常重要，但是仍难以应用于光探测器器件。这是因为TMD材料具有非直接能带，而且强激子束缚，导致载流子的寿命较低。因此，具有直接能带结构的多层TMD，同时提高载流子寿命对于发展过渡金属硫化物的光探测器非常重要。

有鉴于此，韩国科学技术院(KIST) Do Kyung Hwang、大邱庆北科学技术院Jong-Soo Lee等报道发展了通过周期性排列的纳米孔结构，显著改善p-WSe₂/n-MoS₂管的探测器性能。

本文要点：

（1）

通过DFT计算模拟和荧光测试、时间分辨荧光表征，发现多层p-WSe₂/n-MoS₂器件的性能，表征发现具有周期性排列的纳米孔结构能够改善器件在405 nm激光激发时表现的光响应（1.7×10⁴ A W^-1）、探测率（1.7×10¹³Jones），性能比本征没有纳米孔的器件性能提高了两个数量级（本征器件的光响应和探测率分别为3.6×10² A W^-1、3.6×10¹¹ Jones）。

（2）

本文研究发展的含有周期性排列的纳米孔结构的WSe₂/MoS₂器件展示了显著的进步。

参考文献

Min-Hye Jeong, Hyun-Soo Ra, Sang-Hyeon Lee, Do-Hyun Kwak, Jongtae Ahn, Won Seok Yun, JaeDong Lee, Weon-Sik Chae, Do Kyung Hwang,* and Jong-Soo Lee*,Multilayer WSe₂/MoS₂ Heterojunction Phototransistors through Periodically Arrayed Nanopore Structures for Bandgap Engineering, Adv. Mater. 2022, 2108412

DOI: 10.1002/adma.202108412

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.202108412