锡铅矿Cu₂ZnSn(S,Se)₄太阳能电池的光伏性能仍远低于其前身 CuInGaSe₂。一个主要原因是其在不匹配的 Cu₂ZnSn(S,Se)₄/CdS异质结界面处严重的界面非辐射复合，导致较大的开路电压损失。陕西师范大学刘生忠等人开发了一种独特的掺铟 (DI) 策略来沉积In_1-xCd_xS缓冲层，以优化异质结界面。

本文要点：

1）结果表明，采用这种DI方法可以有效抑制不良二次相的形成，并且铟可以更容易地掺杂到CdS的体晶格中，形成额外的有益的浅施主InCd缺陷，从而显著改善CdS层的电学性能和异质结界面的质量。

2）此外，调整能带排列以促进界面电荷的提取和转移，从而减少前Cu₂ZnSn(S,Se)₄/CdS异质结界面处的非辐射电荷复合。因此，上述组合将功率转换效率从10.2%提高到12.4%，这是此类电池的最高效率之一，这对应于开路电压损失(Voc,def) 降低至0.54 V。

3）该策略为优化Cu₂ZnSn(S,Se)₄太阳能电池的异质结界面以降低电压损耗并实现高效率提供了合理的设计。

Fu, J., Tian, Q., Du, Y., Chang, Q., Guo, Y., Yuan, S., Zheng, Z., Wu, S. and Liu, S. (2022), Rational Design of Heterojunction Interface for Cu2ZnSn(S,Se)4 Solar Cells to Exceed 12% Efficiency. Sol. RRL 2101032. 

https://doi.org/10.1002/solr.202101032

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/solr.202101032